Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

Wyniki : 42 050
Producent
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDCambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpCoherent CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCEPC Space, LLCEVVO
Seria
-*2N7002K4485650AlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™AP4NA2R2HCAutomotive, AEC-Q101
Opakowanie
Digi-Reel®ListwaRurkaSkrzynkaTacaTaśma cięta (CT)Taśma i skrzynka (TB)Taśma i szpula (TR)TorbaZbiorcze
Status produktu
AktywnyNie do nowych projektówNieaktualneOstatnio kupionoProdukt wycofany z oferty Digi-Key
Typ FET
-Kanał NKanał P
Technologia
-GaNFET (azotek galu)GaNFET (Tranzystory cascode FET wykorzystujące azotek galu)MOSFET (tlenek metalu)SiC (tranzystor złączowy z węglika krzemu)SiCFET (Cascode SiCJFET)SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
-30 V5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
150µA (Ta)520µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)35mA (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
0V0V, 10V0V, 18V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V1,2V, 5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
0,29mOhm przy 50A, 10V0,3mOhm przy 200A, 10V0,35mOhm przy 50A, 10V0,36mOhm przy 100A, 10V0,39mOhm przy 100A, 10V0,4mOhm przy 150A, 10V0,4mOhm przy 30A, 10V0,4mOhm przy 50A, 10V0,42mOhm przy 50A, 10V0,44mOhm przy 88A, 10V0,45mOhm przy 30A, 10V0,45mOhm przy 30A, 7V
Vgs(th) (maks.) przy Id
400mV przy 1mA400mV przy 250µA400mV przy 250µA450mV przy 100µA450mV przy 1mA450mV przy 250µA450mV przy 2mA500mV przy 250µA570mV przy 1mA (typ.)600mV przy 1,2mA600mV przy 1mA600mV przy 1mA (typ.)
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
0.0007 nC @ 4.5 V0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.21 nC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
-20V-12V-10V-10V, +20V-8V-8V, +19V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 3 V7 pF @ 10 V
Charakterystyka FET
-Dioda Schottky'ego (izolowana)Dioda Schottky'ego (korpus)Dioda wykrywania temperaturyPomiar natężeniaTryb ograniczenia funkcji
Straty mocy (maks.)
400µW400µW (Ta)500µW (Ta)100mW100mW (Ta)120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW150mW (Ta)150mW (Tc)
Temperatura robocza
-65°C - 150°C (TJ)-65°C - 175°C (TJ)-60°C - 175°C (TJ)-55°C - 100°C-55°C - 110°C (TA)-55°C - 125°C-55°C - 125°C (TA)-55°C - 125°C (TJ)-55°C - 135°C (TJ)-55°C - 150°C-55°C - 150°C (TA)-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-MotoryzacjaWojskowość
Kwalifikacja
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/601
Typ mocowania
-Montaż na podstawie montażowejMontaż powierzchniowyMontaż powierzchniowy, bok zwilżanyOtwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-FCLGA (3,2x2,2)3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR
Obudowa / skrzynia
2-DFN, podkładka odsłonięta3-DFN podkładka odsłonięta3-FLGA3-PowerDFN3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, brak odprowadzenia3-SMD, niestandardowa3-SMD, odprowadzenia płaskie3-SMD, wariant SOT-23-3
Opcje zaopatrzenia
Opcje środowiskowe
Nośniki
PRODUKT Z PLATFORMY HANDLOWEJ
42 050Wyniki
Wyświetlanie
z 42 050
Nr kat. prod.
Ilość dostępna
Cena
Seria
Opakowanie
Status produktu
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
Vgs(th) (maks.) przy Id
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
Vgs (maks.)
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
Charakterystyka FET
Straty mocy (maks.)
Temperatura robocza
Klasa
Kwalifikacja
Typ mocowania
Obudowa dostawcy urządzenia
Obudowa / skrzynia
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
108 972
W magazynie
1 : 0,38000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,09233 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
190mA (Ta), 300mA (Tc)
5V, 10V
4,5Ohm przy 100mA, 10V
2,1V przy 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23
2N7002-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Micro Commercial Co
83 791
W magazynie
1 : 0,38000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,09178 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5Ohm przy 500mA, 10V
2,5V przy 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
359 593
W magazynie
1 : 0,42000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,10928 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5Ohm przy 50mA, 5V
2,5V przy 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
199 671
W magazynie
20 019 000
Fabryka
1 : 0,46000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,12384 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
50 V
200mA (Ta)
10V
3,5Ohm przy 220mA, 10V
1,5V przy 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW (Ta)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1 218 028
W magazynie
1 : 0,50000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,11259 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
20 V
200mA (Ta)
1,2V, 2,5V
1,2Ohm przy 100mA, 2,5V
1V przy 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
EMT3F (SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
407 440
W magazynie
55 983 000
Fabryka
1 : 0,50000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,12696 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
380mA (Ta)
5V, 10V
2Ohm przy 500mA, 10V
2,5V przy 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
84 165
W magazynie
1 : 0,50000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,12696 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
320mA (Ta)
4,5V, 10V
1,6Ohm przy 500mA, 10V
2,3V przy 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW (Ta)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
618 152
W magazynie
1 : 0,53000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,10879 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał P
MOSFET (tlenek metalu)
50 V
180mA (Ta)
10V
7,5Ohm przy 100mA, 10V
2,1V przy 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
Motoryzacja
AEC-Q101
Montaż powierzchniowy
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
416 171
W magazynie
51 885 000
Fabryka
1 : 0,53000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,13986 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał P
MOSFET (tlenek metalu)
50 V
130mA (Ta)
5V
10Ohm przy 100mA, 5V
2V przy 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
389 592
W magazynie
1 068 000
Fabryka
1 : 0,53000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,13682 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
30 V
350mA (Ta)
2,5V, 10V
2,8Ohm przy 250mA, 10V
1,5V przy 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
343 310
W magazynie
1 : 0,53000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,13560 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
260mA (Ta)
4,5V, 10V
2,5Ohm przy 240mA, 10V
2,5V przy 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW (Tj)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
299 047
W magazynie
1 : 0,53000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,14413 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Nie do nowych projektów
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm przy 500mA, 10V
2,4V przy 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C - 150°C (TJ)
Motoryzacja
AEC-Q101
Montaż powierzchniowy
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
49 440
W magazynie
1 : 0,53000 zł
Taśma cięta (CT)
10 000 : 0,11581 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
400mA (Ta)
4,5V, 10V
1,5Ohm przy 100mA, 10V
2,1V przy 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
CST3
SC-101, SOT-883
SC-101 SOT-883
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
24 656
W magazynie
1 : 0,53000 zł
Taśma cięta (CT)
10 000 : 0,12151 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
350mA (Ta)
5V, 10V
2,8Ohm przy 200mA, 10V
2,1V przy 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 3,1W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-883
SC-101, SOT-883
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
815 968
W magazynie
1 : 0,57000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,14662 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm przy 300mA, 10V
1,5V przy 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C - 150°C (TA)
Motoryzacja
AEC-Q101
Montaż powierzchniowy
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
442 022
W magazynie
1 : 0,57000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,14794 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
50 V
200mA (Ta)
0,9V, 4,5V
2,2Ohm przy 200mA, 4,5V
800mV przy 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
UMT3F
SC-85
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
435 217
W magazynie
1 : 0,57000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,15072 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
115mA (Tc)
5V, 10V
7,5Ohm przy 500mA, 10V
2,5V przy 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW (Ta)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
2N7002H6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
190 722
W magazynie
1 : 0,57000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,14591 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
300mA (Ta)
4,5V, 10V
3Ohm przy 500mA, 10V
2,5V przy 250µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 25 V
-
500mW (Ta)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
104 129
W magazynie
1 : 0,57000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,14951 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
100 V
170mA (Ta)
10V
6Ohm przy 170mA, 10V
2V przy 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
13 899
W magazynie
1 : 0,57000 zł
Taśma cięta (CT)
8 000 : 0,13541 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
30 V
100mA (Ta)
2,5V, 4V
3,6Ohm przy 10mA, 4V
1,5V przy 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
VESM
SOT-723
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
854 410
W magazynie
1 : 0,61000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,16213 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
320mA (Ta)
10V
1,6Ohm przy 300mA, 10V
1,5V przy 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW (Ta), 830mW (Tc)
-55°C - 150°C (TA)
Motoryzacja
AEC-Q101
Montaż powierzchniowy
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
777 038
W magazynie
1 : 0,61000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,12970 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
300mA (Ta)
4,5V, 10V
2Ohm przy 500mA, 10V
2,5V przy 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TL431BFDT-QR
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
767 440
W magazynie
1 : 0,61000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,15593 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
350mA (Ta)
10V
1,6Ohm przy 500mA, 10V
2,1V przy 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
370mW (Ta)
150°C (TJ)
Motoryzacja
AEC-Q101
Montaż powierzchniowy
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
BSS138W-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
554 270
W magazynie
1 : 0,61000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,16552 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
50 V
200mA (Ta)
10V
3,5Ohm przy 220mA, 10V
1,5V przy 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
200mW (Ta)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-323
SC-70, SOT-323
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
515 784
W magazynie
1 : 0,61000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,16207 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
300mA (Tc)
10V
5Ohm przy 500mA, 10V
2,5V przy 250µA
-
±30V
50 pF @ 10 V
-
830mW (Ta)
-65°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Wyświetlanie
z 42 050

Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

Dyskretne tranzystory polowe (FET) są szeroko używane w przekształtnikach mocy, sterowaniu silnikami, oświetleniu półprzewodnikowym i innych zastosowaniach, gdzie wykorzystywane są ich charakterystyczne zdolności przełączania z wysokimi częstotliwościami, przy jednoczesnym przenoszeniu prądów o znacznym natężeniu. Są one używane najczęściej w zastosowaniach wymagających napięć znamionowych do kilkuset woltów. Przy wyższych napięciach korzystniejsze jest stosowanie urządzeń innego typu, np. tranzystorów IGBT.