Tranzystory - JFET | Digi-Key - dystrybutor komponentów elektronicznych

Wyświetlanie

z 916

Nr kat. prod.	Ilość dostępna	Cena	Seria	Opakowanie	Status produktu	Typ FET	Napięcie - przebicia (V(BR)GSS)	Napięcie dren-źródło (Vdss)	Prąd - drenu (Idss) przy Vds (Vgs=0)	Prąd drenu (Id) - maks.	Napięcie - graniczne (VGS wył.) przy Id	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	Rezystancja - RDS(wł.)	Moc - maks.	Temperatura robocza	Typ mocowania	Obudowa / skrzynia	Obudowa dostawcy urządzenia

2SK880-Y(TE85L,F) JFET N-CH 50V 0.1W USM Toshiba Semiconductor and Storage	5 348 W magazynie	1 : 2,74000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,96462 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	50 V	-	1.2 mA @ 10 V	-	1.5 V @ 100 nA	13pF przy 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	Montaż powierzchniowy	SC-70, SOT-323	USM
CPH3910-TL-E JFET N-CH 25V 50MA 3CPH onsemi	14 921 W magazynie	1 : 3,14000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 1,20765 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	25 V	25 V	20 mA @ 5 V	50 mA	1.8 V @ 100 µA	6pF przy 5V	-	400 mW	150°C (TJ)	Montaż powierzchniowy	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	3-CPH
J109 JFET N-CH 25V 625MW TO92 onsemi	4 956 W magazynie	1 : 2,43000 zł Zbiorcze	-	Zbiorcze	Aktywny	Kanał N	25 V	-	40 mA @ 15 V	-	2 V @ 10 nA	-	12 Ohms	625 mW	-55°C - 150°C (TJ)	Otwór przelotowy	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
2N4393 PBFREE JFET N-CH 40V 1.8W TO-18 Central Semiconductor Corp	2 728 W magazynie	1 : 14,14000 zł Zbiorcze	-	Zbiorcze	Aktywny	Kanał N	40 V	-	5 mA @ 20 V	-	500 mV @ 1 nA	14pF przy 20V	100 Ohms	1.8 W	-65°C - 175°C (TJ)	Otwór przelotowy	TO-206AA, TO-18-3, puszka metalowa	TO-18
MMBF4391LT1G JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3 onsemi	5 885 W magazynie	1 : 1,77000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,49818 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	30 V	30 V	50 mA @ 15 V	-	4 V @ 10 nA	14pF przy 15V	30 Ohms	225 mW	-55°C - 150°C (TJ)	Montaż powierzchniowy	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
MMBF5103 JFET N-CH 40V 0.35W SOT-23 onsemi	119 798 W magazynie	1 : 1,86000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,53027 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	40 V	-	10 mA @ 15 V	-	1.2 V @ 1 nA	16pF przy 15V	-	350 mW	-55°C - 150°C (TJ)	Montaż powierzchniowy	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
J111-D74Z JFET N-CH 35V 625MW TO92-3 onsemi	20 863 W magazynie	1 : 1,94000 zł Taśma cięta (CT) 2 000 : 0,55034 zł Taśma i skrzynka (TB)	-	Taśma cięta (CT) Taśma i skrzynka (TB)	Aktywny	Kanał N	35 V	-	20 mA @ 15 V	-	3 V @ 1 µA	-	30 Ohms	625 mW	-55°C - 150°C (TJ)	Otwór przelotowy	Odprowadzenia formowane TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
J112-D26Z JFET N-CH 35V 625MW TO92-3 onsemi	12 848 W magazynie	1 : 1,99000 zł Taśma cięta (CT) 2 000 : 0,57038 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT)	Aktywny	Kanał N	35 V	-	5 mA @ 15 V	-	1 V @ 1 µA	-	50 Ohms	625 mW	-55°C - 150°C (TJ)	Otwór przelotowy	Odprowadzenia formowane TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
2SK879-Y(TE85L,F) JFET N-CH 0.1W USM Toshiba Semiconductor and Storage	7 120 W magazynie	1 : 1,94000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,68578 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	-	-	1.2 mA @ 10 V	-	400 mV @ 100 nA	8,2pF przy 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	Montaż powierzchniowy	SC-70, SOT-323	USM
2SK879-GR(TE85L,F) JFET N-CH 0.1W USM Toshiba Semiconductor and Storage	3 258 W magazynie	1 : 1,94000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,68578 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	-	-	2.6 mA @ 10 V	-	400 mV @ 100 nA	8,2pF przy 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	Montaż powierzchniowy	SC-70, SOT-323	USM
J113-D74Z JFET N-CH 35V 625MW TO92 onsemi	15 274 W magazynie	1 : 1,94000 zł Taśma cięta (CT) 2 000 : 0,68579 zł Taśma i skrzynka (TB)	-	Taśma cięta (CT) Taśma i skrzynka (TB)	Aktywny	Kanał N	35 V	-	2 mA @ 15 V	-	500 mV @ 1 µA	-	100 Ohms	625 mW	-55°C - 150°C (TJ)	Otwór przelotowy	Odprowadzenia formowane TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
MMBFJ270 JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 onsemi	0 W magazynie	1 : 2,08000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,74004 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	30 V	-	2 mA @ 15 V	-	500 mV @ 1 nA	-	-	225 mW	-55°C - 150°C (TJ)	Montaż powierzchniowy	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
J175-D26Z JFET P-CH 30V 0.35W TO92-3 onsemi	9 411 W magazynie	1 : 2,52000 zł Taśma cięta (CT) 2 000 : 0,89001 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT)	Aktywny	Kanał P	30 V	-	7 mA @ 15 V	-	3 V @ 10 nA	-	125 Ohms	350 mW	-55°C - 150°C (TJ)	Otwór przelotowy	Odprowadzenia formowane TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
NSVJ3910SB3T1G IC JFET N-CH 25V 50MA 3CPH onsemi	14 681 W magazynie	1 : 2,83000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 1,09978 zł Taśma i szpula (TR)	Automotive, AEC-Q101	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	25 V	25 V	20 mA @ 5 V	50 mA	600 mV @ 100 µA	6pF przy 5V	-	400 mW	-55°C - 150°C (TJ)	Montaż powierzchniowy	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	3-CPH
J111 JFET N-CH 35V 625MW TO92-3 onsemi	30 990 W magazynie	1 : 1,90000 zł Zbiorcze	-	Zbiorcze	Aktywny	Kanał N	35 V	-	20 mA @ 15 V	-	3 V @ 1 µA	-	30 Ohms	625 mW	-55°C - 150°C (TJ)	Otwór przelotowy	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
J113 JFET N-CH 35V 625MW TO92-3 onsemi	6 639 W magazynie	1 : 1,94000 zł Zbiorcze	-	Zbiorcze	Aktywny	Kanał N	35 V	-	2 mA @ 15 V	-	500 mV @ 1 µA	-	100 Ohms	625 mW	-55°C - 150°C (TJ)	Otwór przelotowy	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
J112 JFET N-CH 35V 625MW TO92 onsemi	8 808 W magazynie	1 : 2,12000 zł Zbiorcze	-	Zbiorcze	Aktywny	Kanał N	35 V	-	5 mA @ 15 V	-	1 V @ 1 µA	-	50 Ohms	625 mW	-55°C - 150°C (TJ)	Otwór przelotowy	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
JFE150DCKR ULTRA-LOW NOISE, LOW GATE CURREN Texas Instruments	7 801 W magazynie 9 000 Factory	1 : 12,86000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 7,19355 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	40 V	40 V	24 mA @ 10 V	50 mA	-	24pF przy 5V	-	-	-40°C - 125°C (TA)	Montaż powierzchniowy	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	SC-70-5
2N4392 PBFREE JFET N-CH 40V 1.8W TO-18 Central Semiconductor Corp	12 718 W magazynie	1 : 13,88000 zł Zbiorcze	-	Zbiorcze	Aktywny	Kanał N	40 V	-	25 mA @ 20 V	-	2 V @ 1 nA	14pF przy 20V	60 Ohms	1.8 W	-65°C - 175°C (TJ)	Otwór przelotowy	TO-206AA, TO-18-3, puszka metalowa	TO-18
2N4858A JFET N-CH 40V 0.36W TO-18 Central Semiconductor Corp	2 186 W magazynie	1 : 24,13000 zł Zbiorcze	-	Zbiorcze	Aktywny	Kanał N	40 V	-	8 mA @ 15 V	-	800 mV @ 0.5 nA	10pF przy 10V (VGS)	60 Ohms	360 mW	-65°C - 200°C (TJ)	Otwór przelotowy	TO-206AA, TO-18-3, puszka metalowa	TO-18
UF3N170400B7S JFET 1700V SIC UnitedSiC	4 255 W magazynie	1 : 41,90000 zł Taśma cięta (CT) 800 : 27,28069 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	1.7 V	1.7 V	2.2 µA @ 1.7 V	6.8 A	-	225pF przy 100V	500 mOhms	68 W	-55°C - 175°C (TJ)	Montaż powierzchniowy	TO-263-8, D²Pak (7 odprowadzeń + wypustka), TO-263CA	D2PAK-7
UJ3N065080K3S 650V 80 MOHM SIC JFET, G3, N-ON, UnitedSiC	3 533 W magazynie	1 : 38,63000 zł Rurka	-	Rurka	Aktywny	Kanał N	650 V	650 V	-	32 A	-	630pF przy 100V	95 mOhms	190 W	-55°C - 175°C (TJ)	Otwór przelotowy	TO-247-3	TO-247-3
UJ3N120070K3S 1200V 70 MOHM SIC JFET, G3, N-ON UnitedSiC	4 398 W magazynie	1 : 70,45000 zł Rurka	-	Rurka	Aktywny	Kanał N	1200 V	1200 V	-	33.5 A	-	985pF przy 100V	90 mOhms	254 W	-55°C - 175°C (TJ)	Otwór przelotowy	TO-247-3	TO-247-3
UJ3N065025K3S 650V 25 MOHM SIC JFET, G3, N-ON, UnitedSiC	859 W magazynie	1 : 90,48000 zł Rurka	-	Rurka	Aktywny	Kanał N	650 V	650 V	-	85 A	-	2360pF przy 100V	33 mOhms	441 W	-55°C - 175°C (TJ)	Otwór przelotowy	TO-247-3	TO-247-3
UJ3N120035K3S 1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ON UnitedSiC	1 592 W magazynie	1 : 129,51000 zł Rurka	-	Rurka	Aktywny	Kanał N	1200 V	1200 V	-	63 A	-	2145pF przy 100V	45 mOhms	429 W	-55°C - 175°C (TJ)	Otwór przelotowy	TO-247-3	TO-247-3

Wyświetlanie

z 916

Tranzystory - JFET

Junction gate field-effect transistors (JFET) are devices used as electronically-controlled switches, amplifiers, or voltage-controlled resistors. A potential difference of the proper polarity applied between the gate and source terminals increases resistance to current flow, which means less current would flow in the channel between the source and drain terminals. JFETs do not need a biasing current due to a charge flowing through a semiconducting channel between source and drain terminals.

Tranzystory - JFET

Tranzystory - JFET

INFORMATION

HELP

CONTACT US

FOLLOW US