Tranzystory - FET, MOSFET - układy

Wyniki : 5 096
Producent
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDComponentsDiodes IncorporatedEPCFairchild SemiconductorGeneral ElectricGeneSiC SemiconductorGoford Semiconductor
Wyczyść
Seria
-*AlphaMOSAutomotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, HEXFET®Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®Automotive, AEC-Q101, STripFET™Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, STripFET™ IIAutomotive, AEC-Q101, STripFET™ III
Wyczyść
Opakowanie
-Digi-Reel®RurkaSkrzynkaTacaTaśma cięta (CT)Taśma i szpula (TR)Zbiorcze
Wyczyść
Status części
AktywnyNie do nowych projektówNieaktualneOstatnio kupionoProdukt wycofany z oferty Digi-Key
Wyczyść
Typ FET
2 kanał N2 kanały N (odgałęzienie fazowe)2 kanały N (podwójne)2 kanały N (podwójne), asymetryczne2 kanały N (podwójne), dioda Schottky'ego2 kanały N (podwójne), dobrane w pary2 kanały N (podwójne), wspólne źródło2 kanały N (podwójne), wspólny dren2 kanały N (podwójny przekształtnik obniżający napięcie)2 kanały N (półmostek)2 kanały N (z kaskodą)2 kanały N i 2 kanały P (mostek H)2 kanały N i 2 kanały P
Wyczyść
Charakterystyka FET
-Bramka poziomu logicznegoBramka poziomu logicznego, sterowanie 0,9VBramka poziomu logicznego, sterowanie 1,2VBramka poziomu logicznego, sterowanie 1,5VBramka poziomu logicznego, sterowanie 1,8VBramka poziomu logicznego, sterowanie 2,5VBramka poziomu logicznego, sterowanie 4,5VBramka poziomu logicznego, sterowanie 4VBramka poziomu logicznego, sterowanie 5VBramka poziomów logicznych, sterowanie 10VGaNFET (azotek galu)Standard
Wyczyść
Napięcie dren-źródło (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V15V16V20V20V, 12V20V, 8V22V24V
Wyczyść
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
12mA, 3mA30mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)50mA80mA100mA (Ta)100mA100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)
Wyczyść
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
0,8mOhm przy 1200A, 10V0,95mOhm przy 30A, 10V0,95mOhm przy 8A, 4,5V1mOhm przy 38A, 10V1,25mOhm przy 35A, 10V1,3mOhm przy 100A, 10V1,5mOhm przy 33A, 10V1,6mOhm przy 10A, 4,5V1,6mOhm przy 40A, 10V1,66mOhm przy 80A, 10V1,73mOhm przy 760A, 15V1,8mOhm przy 30A, 10V, 5mOhm przy 17,5A, 10V1.8mOhm przy 5A, 4.5V
Wyczyść
Vgs(th) (maks.) przy Id
10mV przy 10µA10mV przy 1µA10mV przy 20µA20mV przy 10µA20mV przy 1µA20mV przy 20µA180mV przy 1µA220mV przy 1µA360mV przy 1µA380mV przy 1µA400mV przy 250µA420mV przy 1µA450mV przy 100µA
Wyczyść
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
0,1pC przy 4,5V, 0,7pC przy 4,5V0,4pC przy 4,5V, 7,3nC przy 4,5V0,45pC przy 4,5V0,16nC przy 5V, 0,044nC przy 5V0,22nC przy 5V, 0,044nC przy 5V0,26nC przy 2,5V0,3nC przy 4,5V0,304nC przy 4,5V0,31nC przy 4,5V0,32nC przy 4,5V0,34nC przy 4,5V0,35nC przy 4,5V0,35nC przy 5V
Wyczyść
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
2,5pF przy 5V3pF przy 5V5pF przy 3V6pF przy 3V6,2pF przy 10V6,6pF przy 10V7pF przy 10V7pF przy 3V7,1pF przy 10V7,4pF przy 10V7,5pF przy 10V8,5pF przy 3V9pF przy 15V
Wyczyść
Moc - maks.
10mW (Tc)10mW20mW (Tc)20mW50mW120mW125mW (Ta)125mW140mW150mW (Ta)150mW180mW200mW (Ta)
Wyczyść
Temperatura robocza
-65°C - 150°C (TJ)-55°C - 125°C-55°C - 150°C (TA)-55°C - 150°C (TJ)-55°C - 150°C-55°C - 155°C (TJ)-55°C - 175°C (TA)-55°C - 175°C (TJ)-55°C - 175°C-50°C - 150°C (TJ)-40°C - 125°C (Tc)-40°C - 150°C (TJ)-40°C - 175°C (TJ)
Wyczyść
Typ mocowania
-Montaż na podstawie montażowejMontaż powierzchniowyMontaż powierzchniowy, bok zwilżanyOtwór przelotowy
Wyczyść
Obudowa / skrzynia
4-SMD, brak odprowadzenia4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-VDFN4-VFDFN podkładka odsłonięta4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA4-XFBGA, WLCSP4-XFLGA4-XFLGA, CSP
Wyczyść
Obudowa dostawcy urządzenia
4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-BGA (1x1)4-Chip LGA (1,59x1,59)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)4-EFCP (1,01x1,01)4-EFLIP-LGA (1,11x1,11)4-EFLIP-LGA (1,4x1,4)4-EFLIP-LGA (1,62x1,62)4-FlipChip4-Picostar (1,31x1,31)4-QFN (2x2)
Wyczyść
Opcje zaopatrzenia
Nośniki
Opcje środowiskowe
PRODUKT Z PLATFORMY HANDLOWEJ
Wyniki na stronę
25
Page 1/204
Porównaj
Nr kat. prod.
Cena
Zapasy
Dostawca
Prod.
Ilość min.
Nr kat. DK
Seria
Opakowanie
Status części
Typ FET
Charakterystyka FET
Napięcie dren-źródło (Vdss)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
Vgs(th) (maks.) przy Id
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
Moc - maks.
Temperatura robocza
Typ mocowania
Obudowa / skrzynia
Obudowa dostawcy urządzenia
eGaN Series
EPC2106
GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
7,43000 zł
38 000 - natychmiastowo
EPCEPC
1
917-1110-2-ND
917-1110-1-ND
917-1110-6-ND
eGaN®
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny2 kanały N (półmostek)GaNFET (azotek galu)100V1,7A70mOhm przy 2A, 5V2,5V przy 600µA0,73nC przy 5V75pF przy 50V--40°C - 150°C (TJ)Montaż powierzchniowySzczękaSzczęka
eGaN Series
EPC2110
GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
9,67000 zł
21 385 - natychmiastowo
EPCEPC
1
917-1152-2-ND
917-1152-1-ND
917-1152-6-ND
eGaN®
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny2 kanały N (podwójne), wspólne źródłoGaNFET (azotek galu)120V3,4A60mOhm przy 4A, 5V2,5V przy 700µA0,8nC przy 5V80pF przy 60V--40°C - 150°C (TJ)-SzczękaSzczęka
eGaN Series
EPC2104
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
29,25000 zł
1 158 - natychmiastowo
EPCEPC
1
917-1184-2-ND
917-1184-1-ND
917-1184-6-ND
eGaN®
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny2 kanały N (półmostek)GaNFET (azotek galu)100V23A6,3mOhm przy 20A, 5V2,5V przy 5,5mA7nC przy 5V800pF przy 50V--40°C - 150°C (TJ)Montaż powierzchniowySzczękaSzczęka
eGaN Series
EPC2102
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
32,68000 zł
1 848 - natychmiastowo
EPCEPC
1
917-1182-2-ND
917-1182-1-ND
917-1182-6-ND
eGaN®
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny2 kanały N (półmostek)GaNFET (azotek galu)60V23A4,4mOhm przy 20A, 5V2,5V przy 7mA6,8nC przy 5V830pF przy 30V--40°C - 150°C (TJ)Montaż powierzchniowySzczękaSzczęka
BSM300D12P2E001
BSM300D12P2E001
MOSFET 2N-CH 1200V 300A
2 898,64000 zł
28 - natychmiastowo
Rohm SemiconductorRohm Semiconductor
1
BSM300D12P2E001-ND
-
Taca
Aktywny2 kanały N (półmostek)Węglik krzemu (SiC)1200V (1,2kV)300A (Tc)-4V przy 68mA-35000pF przy 10V1875W-40°C - 150°C (TJ)Montaż na podstawie montażowejModułModuł
SOT-353
DMN32D2LDF-7
MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353
1,67000 zł
1 276 - natychmiastowo
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMN32D2LDF-7DITR-ND
DMN32D2LDF-7DICT-ND
DMN32D2LDF-7DIDKR-ND
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny2 kanały N (podwójne), wspólne źródłoBramka poziomu logicznego30V400mA1,2Ohm przy 100mA, 4V1,2V przy 250µA-39pF przy 3V280mW-55°C - 150°C (TJ)Montaż powierzchniowy5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353SOT-353
SOT363
BSS138BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
2,04000 zł
0 - natychmiastowo
Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.
1
1727-6478-2-ND
1727-6478-1-ND
1727-6478-6-ND
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny2 kanały N (podwójne)Bramka poziomu logicznego60V320mA1,6Ohm przy 320mA, 10V1,6V przy 250µA0,7nC przy 4,5V56pF przy 10V445mW-55°C - 150°C (TJ)Montaż powierzchniowy6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
NX3008PBKS,115
MOSFET 2P-CH 30V 0.2A 6TSSOP
2,12000 zł
4 182 - natychmiastowo
Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.
1
1727-1282-2-ND
1727-1282-1-ND
1727-1282-6-ND
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny2 kanały P (podwójne)Bramka poziomu logicznego30V200mA4,1Ohm przy 200mA, 4,5V1,1V przy 250µA0,75nC przy 4,5V46pF przy 15V445mW-55°C - 150°C (TJ)Montaż powierzchniowy6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
1,88000 zł
41 775 - natychmiastowo
Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.
1
1727-3126-2-ND
1727-3126-1-ND
1727-3126-6-ND
TrenchMOS™
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny2 kanały N (podwójne)Bramka poziomu logicznego20V860mA350mOhm przy 200mA, 4,5V1,5V przy 250µA0,72nC przy 4,5V34pF przy 20V410mW-55°C - 150°C (TJ)Montaż powierzchniowy6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
8-SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
1,63000 zł
62 711 - natychmiastowo
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMP3085LSD-13DITR-ND
DMP3085LSD-13DICT-ND
DMP3085LSD-13DIDKR-ND
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny2 kanały P (podwójne)Bramka poziomu logicznego30V3,9A70mOhm przy 5,3A, 10V3V przy 250µA11nC przy 10V563pF przy 25V1,1W-55°C - 150°C (TJ)Montaż powierzchniowy8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)8-SO
SOT-963
DMC31D5UDJ-7
MOSFET N/P-CH 30V SOT963
1,88000 zł
23 266 - natychmiastowo
760 000 - fabryka
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMC31D5UDJ-7DITR-ND
DMC31D5UDJ-7DICT-ND
DMC31D5UDJ-7DIDKR-ND
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
AktywnyKanał N i PBramka poziomu logicznego30V220mA, 200mA1,5Ohm przy 100mA, 4,5V1V przy 250µA0,38nC przy 4,5V22,6pF przy 15V350mW-55°C - 150°C (TJ)Montaż powierzchniowySOT-963SOT-963
U-DFN2020-6
DMN1029UFDB-7
MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
2,04000 zł
50 364 - natychmiastowo
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMN1029UFDB-7DITR-ND
DMN1029UFDB-7DICT-ND
DMN1029UFDB-7DIDKR-ND
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny2 kanały N (podwójne)Standard12V5,6A29mOhm przy 5A, 4,5V1V przy 250µA19,6nC przy 8V914pF przy 6V1,4W-55°C - 150°C (TJ)Montaż powierzchniowy6-UDFN podkładka odsłoniętaU-DFN2020-6 (typ B)
UF6
SSM6L40TU,LF
X34 PB-F UF6 S-MOS (LF) TRANSIST
2,08000 zł
0 - natychmiastowo
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
SSM6L40TULFTR-ND
SSM6L40TULFCT-ND
SSM6L40TULFDKR-ND
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
AktywnyKanał N i PBramka poziomu logicznego, sterowanie 4V30V1.6A (Ta), 1.4A (Ta)122mOhm przy 1A, 10V, 226mOhm przy 1A, 10V2.6V przy 1mA, 2V przy 1mA5,1nC przy 10V, 2,9nC przy 10V180pF przy 15V, 120pF przy 15V500mW (Ta)150°CMontaż powierzchniowy6-SMD, odprowadzenia płaskieUF6
SOT-563
2N7002V
MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT563F
1,96000 zł
88 065 - natychmiastowo
onsemionsemi
1
2N7002VTR-ND
2N7002VCT-ND
2N7002VDKR-ND
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny2 kanały N (podwójne)Bramka poziomu logicznego60V280mA7,5Ohm przy 50mA, 5V2,5V przy 250µA-50pF przy 25V250mW-55°C - 150°C (TJ)Montaż powierzchniowySOT-563, SOT-666SOT-563F
8-SO
DMG9926USD-13
MOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8L
2,08000 zł
217 - natychmiastowo
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMG9926USD-13DITR-ND
DMG9926USD-13DICT-ND
DMG9926USD-13DIDKR-ND
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny2 kanały N (podwójne)Bramka poziomu logicznego20V8A24mOhm przy 8,2A, 4,5V900mV przy 250µA8,8nC przy 4,5V867pF przy 15V1,3W-55°C - 150°C (TJ)Montaż powierzchniowy8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)8-SO
Pkg 5880
SI1025X-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89
2,16000 zł
660 - natychmiastowo
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SI1025X-T1-GE3TR-ND
SI1025X-T1-GE3CT-ND
SI1025X-T1-GE3DKR-ND
TrenchFET®
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny2 kanały P (podwójne)Bramka poziomu logicznego60V190mA4Ohm przy 500mA, 10V3V przy 250µA1,7nC przy 15V23pF przy 25V250mW-55°C - 150°C (TJ)Montaż powierzchniowySOT-563, SOT-666SC-89 (SOT-563F)
SOT 26
DMG9926UDM-7
MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT-26
2,28000 zł
22 139 - natychmiastowo
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMG9926UDMDITR-ND
DMG9926UDMDICT-ND
DMG9926UDMDIDKR-ND
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny2 kanały N (podwójne), wspólny drenBramka poziomu logicznego20V4,2A28mOhm przy 8,2A, 4,5V900mV przy 250µA8,3nC przy 4,5V856pF przy 10V980mW-55°C - 150°C (TJ)Montaż powierzchniowySOT-23-6SOT-26
SC-70-6
SI1900DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
2,57000 zł
16 489 - natychmiastowo
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SI1900DL-T1-E3TR-ND
SI1900DL-T1-E3CT-ND
SI1900DL-T1-E3DKR-ND
TrenchFET®
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny2 kanały N (podwójne)Bramka poziomu logicznego30V590mA480mOhm przy 590mA, 10V3V przy 250µA1,4nC przy 10V-270mW-55°C - 150°C (TJ)Montaż powierzchniowy6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
TUMT6_TUMT6 Pkg
US6M2TR
MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
2,90000 zł
18 958 - natychmiastowo
Rohm SemiconductorRohm Semiconductor
1
US6M2TR-ND
US6M2CT-ND
US6M2DKR-ND
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
AktywnyKanał N i PStandard30V, 20V1,5A, 1A240mOhm przy 1,5A, 4,5V1,5V przy 1mA2,2nC przy 4,5V80pF przy 10V1W150°C (TJ)Montaż powierzchniowy6-SMD, odprowadzenia płaskieTUMT6
8-SOIC
SI9933CDY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
2,69000 zł
225 - natychmiastowo
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SI9933CDY-T1-GE3TR-ND
SI9933CDY-T1-GE3CT-ND
SI9933CDY-T1-GE3DKR-ND
TrenchFET®
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny2 kanały P (podwójne)Bramka poziomu logicznego20V4A58mOhm przy 4,8A, 4,5V1,4V przy 250µA26nC przy 10V665pF przy 10V3,1W-50°C - 150°C (TJ)Montaż powierzchniowy8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)8-SOIC
8-SOIC
AOSD21311C
MOSFET 2P-CH 8-SOIC
2,90000 zł
51 080 - natychmiastowo
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1
785-AOSD21311CTR-ND
785-AOSD21311CCT-ND
785-AOSD21311CDKR-ND
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny2 kanały P (podwójne)Standard30V5A (Ta)42mOhm przy 5A, 10V2,2V przy 250µA23nC przy 10V720pF przy 15V1,7W-55°C - 150°C (TJ)Montaż powierzchniowy8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)8-SOIC
SOT-963
NTUD3174NZT5G
MOSFET 2N-CH 20V 220MA SOT963
2,73000 zł
29 759 - natychmiastowo
onsemionsemi
1
NTUD3174NZT5GOSTR-ND
NTUD3174NZT5GOSCT-ND
NTUD3174NZT5GOSDKR-ND
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny2 kanały N (podwójne)Standard20V220mA (Ta)1,5Ohm przy 100mA, 4,5V1V przy 100µA-12,5pF przy 15V125mW (Ta)-55°C - 150°C (TJ)Montaż powierzchniowySOT-963SOT-963
8-SOIC
AO4840
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC
3,02000 zł
55 558 - natychmiastowo
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1
785-1063-2-ND
785-1063-1-ND
785-1063-6-ND
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Nie do nowych projektów2 kanały N (podwójne)Bramka poziomu logicznego40V6A30mOhm przy 6A, 10V3V przy 250µA10,8nC przy 10V650pF przy 20V2W-55°C - 150°C (TJ)Montaż powierzchniowy8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)8-SOIC
8-SOIC
AO4882
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
3,26000 zł
252 180 - natychmiastowo
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1
785-1317-2-ND
785-1317-1-ND
785-1317-6-ND
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny2 kanały N (podwójne)Bramka poziomu logicznego40V8A19mOhm przy 8A, 10V2,4V przy 250µA12nC przy 10V415pF przy 20V2W-55°C - 150°C (TJ)Montaż powierzchniowy8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)8-SOIC
FDMAxxxxxZ
FDMA3023PZ
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET
2,98000 zł
5 230 - natychmiastowo
18 000 - fabryka
onsemionsemi
1
FDMA3023PZTR-ND
FDMA3023PZCT-ND
FDMA3023PZDKR-ND
PowerTrench®
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny2 kanały P (podwójne)Bramka poziomu logicznego30V2,9A90mOhm przy 2,9A, 4,5V1V przy 250µA11nC przy 4,5V530pF przy 15V700mW-55°C - 150°C (TJ)Montaż powierzchniowy6-VDFN podkładka odsłonięta6-MicroFET (2x2)
Wyniki na stronę
25
Page 1/204