Name: S3M0016120N
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S3M0016120N-ND
Price: 150.8595 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

S3M0016120N
Numer produktu DigiKey	1655-S3M0016120N-ND
Producent	SMC Diode Solutions
Numer produktu producenta	S3M0016120N
Opis	MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 120A (Tc) 732W (Tc) Montaż na podstawie montażowej SOT-227
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	SMC Diode Solutions
Seria	-
Opakowanie	Zbiorcze
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	120A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	18V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	23mOhm przy 75A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 30mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	287 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+22V, -8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	5251 pF @ 1000 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	732W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż na podstawie montażowej
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-227
Obudowa / skrzynia	SOT-227-4, miniBLOC