Ustawienia
Szybka dostawa
Bezpłatna wysyłka
Incoterms
Typy płatności
Produkt z platformy handlowej
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
S2M0160120K | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 1655-S2M0160120K-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | S2M0160120K |
Opis | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 12 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 1200 V 17A (Tc) 130W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-4 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Atrybuty produktu
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | - | |
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 1200 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 20V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 196mOhm przy 10A, 20V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 2,5mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 26.5 nC @ 20 V | |
Vgs (maks.) | +20V, -5V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 513 pF @ 1000 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 130W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-247-4 | |
Obudowa / skrzynia |
W magazynie: 294
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 20,57000 zł | 20,57 zł |
| 10 | 13,73200 zł | 137,32 zł |
| 300 | 8,65787 zł | 2 597,36 zł |
| 600 | 8,05475 zł | 4 832,85 zł |
| 1 200 | 7,83972 zł | 9 407,66 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 20,57000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 25,30110 zł |
Mogą Cię również zainteresowaćZobacz wszystko
2 Pozycje
Polska