Name: RZF030P01TL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RZF030P01TLTR-ND
Price: 4.6371 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RZF030P01TL
Numer produktu DigiKey	RZF030P01TLTR-ND - Taśma i szpula (TR) RZF030P01TLCT-ND - Taśma cięta (CT) RZF030P01TLDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	RZF030P01TL
Opis	MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3
Standardowy czas realizacji przez producenta	21 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 12 V 3A (Ta) 800mW (Ta) Montaż powierzchniowy TUMT3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	RZF030P01TL Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Rohm Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	12 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	3A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,5V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	39mOhm przy 3A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	18 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1860 pF @ 6 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	800mW (Ta)
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TUMT3
Obudowa / skrzynia	3-SMD, odprowadzenia płaskie
Bazowy numer produktu	RZF030