Name: RD3G08BBJHRBTL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3G08BBJHRBTLTR-ND
Price: 15.4857 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RD3G08BBJHRBTL
Numer produktu DigiKey	846-RD3G08BBJHRBTLTR-ND - Taśma i szpula (TR) 846-RD3G08BBJHRBTLCT-ND - Taśma cięta (CT) 846-RD3G08BBJHRBTLDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	RD3G08BBJHRBTL
Opis	PCH -40V -80A, TO-252 (DPAK), PO
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 40 V 80A (Ta) 142W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Rohm Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	80A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	4,9mOhm przy 80A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	145 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	+5V, -20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	7350 pF @ 20 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	142W (Tc)
Temperatura robocza	175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-252
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63