Name: NTD6416ANLT4G
Brand: onsemi
SKU: NTD6416ANLT4GOSTR-ND
Price: 8.8806 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTD6416ANLT4G
Numer produktu DigiKey	NTD6416ANLT4GOSTR-ND - Taśma i szpula (TR) NTD6416ANLT4GOSCT-ND - Taśma cięta (CT) NTD6416ANLT4GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTD6416ANLT4G
Opis	MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	17 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 19A (Tc) 71W (Tc) Montaż powierzchniowy D-PAK
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,2V przy 250µA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 40 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1000 pF @ 25 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 71W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 19A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia D-PAK
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 74mOhm przy 19A, 10V	Bazowy numer produktu NTD6416