Name: FDS86267P
Brand: onsemi
SKU: FDS86267PTR-ND
Price: 10.9101 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDS86267P
Numer produktu DigiKey	FDS86267PTR-ND - Taśma i szpula (TR) FDS86267PCT-ND - Taśma cięta (CT) FDS86267PDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDS86267P
Opis	MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 150 V 2,2A (Ta) 1W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FDS86267P Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 16 nC @ 10 V
Seria PowerTrench®	Vgs (maks.) ±25V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1130 pF @ 75 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 1W (Ta)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 150 V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SOIC
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 2,2A (Ta)	Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V, 10V	Bazowy numer produktu FDS86267
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 255mOhm przy 2,2A, 10V