Name: IRLHS6376TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLHS6376TRPBFTR-ND
Price: 3.9729 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRLHS6376TRPBF
Numer produktu DigiKey	IRLHS6376TRPBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) IRLHS6376TRPBFCT-ND - Taśma cięta (CT) IRLHS6376TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRLHS6376TRPBF
Opis	MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	23 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 3,6A 1,5W Montaż powierzchniowy 6-PQFN Dual (2x2)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRLHS6376TRPBF Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 63mOhm przy 3,4A, 4,5V
Producent Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) przy Id 1,1V przy 10µA
Seria HEXFET®	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 2,8nC przy 4,5V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 270pF przy 25V
Status części Aktywny	Moc - maks. 1,5W
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego	Obudowa / skrzynia 6-PowerVDFN
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30V	Obudowa dostawcy urządzenia 6-PQFN Dual (2x2)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 3,6A	Bazowy numer produktu IRLHS6376

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 63 884

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)