Name: IPD055N08NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD055N08NF2SATMA1TR-ND
Price: 11.2668 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPD055N08NF2SATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPD055N08NF2SATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPD055N08NF2SATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPD055N08NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPD055N08NF2SATMA1
Opis	MOSFET
Standardowy czas realizacji przez producenta	25 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 17A (Ta), 98A (Tc) 3W (Ta), 107W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPD055N08NF2SATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 5,5mOhm przy 60A, 10V
Prod. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,8V przy 55µA
Seria StrongIRFET™ 2	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 54 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2500 pF @ 40 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 3W (Ta), 107W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 80 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 17A (Ta), 98A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TO252-3
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V, 10V	Obudowa / skrzynia TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63