Name: BSZ300N15NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ300N15NS5ATMA1TR-ND
Price: 13.2102 PLN
Availability: OutOfStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

BSZ300N15NS5ATMA1
Numer produktu DigiKey	BSZ300N15NS5ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) BSZ300N15NS5ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) BSZ300N15NS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSZ300N15NS5ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 150V 32A TSDSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 150 V 32A (Tc) 62,5W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TSDSON-8-FL
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSZ300N15NS5ATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4,6V przy 32µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 13 nC @ 10 V
Seria OptiMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 950 pF @ 75 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 62,5W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 150 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TSDSON-8-FL
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 32A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 8V, 10V	Bazowy numer produktu BSZ300
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 30mOhm przy 16A, 10V